根据IHS最近发布的2017年全球功率半导体市场份额报告，全年全球功率半导体市场体量是185亿美金，同比增长13.1%，达到自2010年以来的最大值，这主要来源于全球半导体市场的复苏，特别是中国市场的快速崛起。
从前五强来看，英飞凌一家独大，这主要体现在两个方面。一是，占据18.6%的份额，达到33.41亿美金（约是第二名的两倍），同比增长16.8%。二是，在细分的功率MOSFET、IGBT分立器件、标准IGBT模块市场份额均全球第一。
参考观研天下发布《2019年中国IGBT行业分析报告-行业现状与发展前景预测》
IGBT分立器件领域的前五强占据全球该领域约70%的市场份额，它们分别是英飞凌（Infineon，德国）、安森美（On Semiconductor，美国）、意法半导体（STMicroelectronics，意法）、三菱（Mitsubishi，日本）和东芝（Toshiba，日本）。其中英飞凌独占38.5%的销售额，比排名第二至第四的总和还要高出约7个百分点，彰显了英飞凌在此领域的绝对控制权。
标准IGBT模块领域的前五强占据全球此领域约77%的市场份额，它们分别是英飞凌、三菱、安森美、东芝和意法半导体。除排名第一的仍然是英飞凌外，排名第二至第四的厂商虽然与分立器件相同，但名次却完全不同。在模块领域三菱的表现更为显眼，排名第二。在标准模块领域英飞凌的市场份约是33.9%，仅比第二名高出约7个百分点，在此领域的控制权远远弱于IGBT分立器件。
从前五强来看，英飞凌一家独大，这主要体现在两个方面。一是，占据18.6%的份额，达到33.41亿美金（约是第二名的两倍），同比增长16.8%。二是，在细分的功率MOSFET、IGBT分立器件、标准IGBT模块市场份额均全球第一。
参考观研天下发布《2019年中国IGBT行业分析报告-行业现状与发展前景预测》
全球IGBT排名前五的公司
数据来源：HIS、IGBT人
IGBT分立器件领域的前五强占据全球该领域约70%的市场份额，它们分别是英飞凌（Infineon，德国）、安森美（On Semiconductor，美国）、意法半导体（STMicroelectronics，意法）、三菱（Mitsubishi，日本）和东芝（Toshiba，日本）。其中英飞凌独占38.5%的销售额，比排名第二至第四的总和还要高出约7个百分点，彰显了英飞凌在此领域的绝对控制权。
2017年全球IGBT分分立器件TOP5企业销售额占比
数据来源：IHS
标准IGBT模块领域的前五强占据全球此领域约77%的市场份额，它们分别是英飞凌、三菱、安森美、东芝和意法半导体。除排名第一的仍然是英飞凌外，排名第二至第四的厂商虽然与分立器件相同，但名次却完全不同。在模块领域三菱的表现更为显眼，排名第二。在标准模块领域英飞凌的市场份约是33.9%，仅比第二名高出约7个百分点，在此领域的控制权远远弱于IGBT分立器件。
2017年全球IGBT模块五前市场份额占比
数据来源：IHS
资料来源：HIS、IGBT人，观研天下TLN整理，转载请注明出处
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