中国报告网讯：
内容提要：预计电力半导体的市场规模将从2011年的142亿美元（比前一年增加6％）扩大到2013年的167亿美元，期间年平均成长率为3.7％。
中国报告网现已发布：2010-2015年中国电力半导体器件行业市场调研及发展前景预测报告
以矽为基本的原有电力半导体已接近理论上的界限，以优异的材料特性及具备宽广带隙（Band gap）的炭化矽(SiC)和氮化镓(GaN)为基本的电力半导体要素，提供比硅基本要素差别更大且更佳的性能，受到大众期待其能成为下一代的电力设备。分析师Dr. Robert Castellano叙述：「在下一代电力半导体的市场展开战斗，结果许多半导体制造商以进入市场作为目标。」。
「与140亿美元规模的矽电力半导体市场比较，虽然微不足道，然下一代电力半导体市场已经成为5,000万美元规模的市场。」
其中绝缘闸双极晶体管(IGBT)和电力MOSFET已成为市场扩大的原动力。
预计电力半导体的市场规模将从2011年的142亿美元（比前一年增加6％）扩大到2013年的167亿美元，期间年平均成长率为3.7％。
藉由高速开关、几近完美的阀门阻抗、出色的安定性、以及较低的导通电阻，2010年电力MOSFET占了最大的市占率，预测今后IGBT将强力成长。
由于具备富有魅力的性能，正如火如荼进行有关广带隙电力半导体的研究开发。
自1990年代初期以来，电力设备应用系统用的SiC材，继续长期开发，迄今成熟度和可靠性已达全速前进阶段。
Chinabaogao预测下一代电力半导体市场将从2010年到2015年以复合年成长率72％扩大，2015年时达到5亿美元以上规模。
【版权提示】观研报告网倡导尊重与保护知识产权。未经许可，任何人不得复制、转载、或以其他方式使用本网站的内容。如发现本站文章存在版权问题，烦请提供版权疑问、身份证明、版权证明、联系方式等发邮件至kf@chinabaogao.com，我们将及时沟通与处理。
