存储器 基地项目 开建 国产存储芯片 替代化从2018年至今,长江存储实现了从32层到64层到128层的技术突破,在市场份额高度集中的存储芯片市场,国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。

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存储器基地项目二期开建 国产存储芯片行业替代化进程有望加速

字体大小: 2020-06-22 14:30  来源:中国报告网

中国报告网提示:从2018年至今,长江存储实现了从32层到64层到128层的技术突破,在市场份额高度集中的存储芯片市场,国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。

       6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍,国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能,二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。
       
       国家存储器基地项目二期产能情况
        
       数据来源:公开资料整理
       
       从2018年至今,长江存储实现了从32层到64层到128层的技术突破,在市场份额高度集中的存储芯片市场,国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。
       
       国产存储芯片相关企业量产情况

类别

企业名称

发展近况

NOR Flash

兆易创新

全球市场占有率18.3%,排名第三;大容量55nm

武汉新芯

NOR Flash产品容量覆盖4Mbit256Mbit,正在加速研发,后续会有大容量的NOR Flash推出,以满足5G基站市场的迅猛需求

NAND Flash

长江存储

已经量产64256 Gb TLC 3D NAND闪存,2020年开始逐步提升产能,预计2020年底可望将产能提4升到月产6万片晶圆的规模,预计将在2020年生产128层堆栈3D闪存

DRAM

长鑫存储

10纳米级第一代8Gb DDR4已经投产,投产的8GbDDR4已经通过多个国内外大客户的验证

兆易创新

首款DRAM芯片计划于2020年展开流片试样,并将于2021年进行封装测试以及完成客户验证,测试成功后进行大批量产。其多系列DRAM产品将在2025年之前陆续完成研发及量产

紫光集团

已组建了DRAM事业群,2019827日与重庆市政府签署了合作协议,将在重庆建设DRAM总部研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂等

数据来源:公开资料整理
       
       从我国存储芯片产业市场竞争角度看,国产存储芯片加快技术升级和产品迭代是争取市场份额的必要路径,从产业趋势上看,随着国家存储器基地项目二期开工,我国存储芯片国产化进程有望迎来提速。
       
       2019-2025年全球与中国大陆存储器行业市场比较
        
       数据来源:公开资料整理
       
       2019-2025年国产存储芯片自给率走势图
        
       数据来源:公开资料整理(WYD)
       
       以上数据参考资料《2020年中国存储芯片行业前景分析报告-市场深度调研与发展趋势研究
       
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